产品介绍
ASC-SDD 是爱思窗科技研制的一款基于硅漂移技术的高分辨率 X 射线能量色散探测器。产品技术源自中科院高能物理研究所 PAPS 平台三十余年同步辐射装置建设与运行经验，性能指标达到国际先进水平。
SDD 探测器采用漂移场设计，阳极电容极低，在高能量分辨模式与高计数率模式间灵活切换，内置高效半导体制冷，无需液氮，维护简便，可长期稳定运行。
核心优势
- 国内领先的 148 eV @5.9 keV 能量分辨率，可精准区分相邻元素
- 高计数率模式：计数能力大于 1 Mcps
- 高能量分辨模式：能量分辨率优于 150 eV
- 内置两级或三级半导体制冷，无需液氮，维护便捷
- 三种有效面积（12 / 27 / 55 mm²）满足不同需求
- TO-8 封装，外壳仅 15×15×15 mm³，易于集成
工作原理
硅漂移探测器（SDD）基于漂移电场将 X 射线在硅体中产生的电子—空穴对引导至中心微型阳极。由于阳极面积极小（~200 µm²），等效电容极低，前置放大器噪声极小，在−50 °C 制冷条件下即可实现优于 150 eV（@5.9 keV）的能量分辨率。
电子学系统将电荷信号转换、放大并数字化，最终生成 X 射线能谱，用于元素定性和定量分析。通过调整成形时间，用户可在高分辨率模式与高通量模式之间灵活切换，满足不同实验需求。
内置的两级或三级半导体（珀尔帖）制冷单元可将探测器芯片冷却至−50 °C，无需液氮或外部冷却设备，整机使用维护极为便捷。
产品技术规格
| 参数 | 指标 |
|---|---|
| 探测器型号 | ASC-SDD |
| 硅晶体厚度 | 0.5 mm |
| 有效面积 | 12 mm² / 27 mm² / 55 mm² |
| 能量分辨率 | 146 eV @5.9 keV（−50 °C）；高能量分辨模式 < 150 eV |
| 计数率 | > 1 Mcps（高计数率模式） |
| 最小可探测能量 | 150 eV |
| 制冷方式 | 两级或三级半导体（珀尔帖）制冷，无需液氮 |
| 封装形式 | TO-8 |
| 外壳尺寸 | 15 × 15 × 15 mm³ |
| 前放电源 | ±9 V |
| 探测器偏压 | −100 ~ −150 V（高压）；−20 ~ −30 V（低压） |
| 制冷片电源 | 3 V |
应用领域
X 射线荧光光谱分析（XRF）
高分辨率能谱可精准区分相邻元素特征 X 射线，适配便携式及台式 XRF 仪器，覆盖地质勘探、冶金检测、食品安全等场景。
电子显微镜（SEM / TEM）联用
安装于扫描/透射电子显微镜，实现纳米尺度微区元素成分分析，TO-8 紧凑封装便于集成至镜筒侧向端口。
材料与元素分析
合金成分鉴定、薄膜镀层厚度测量、半导体材料表征，高计数率特性保证实时在线分析吞吐量。
生命科学与医学应用
组织切片微量元素分布成像、药物载体合成过程监控、生物样品元素定量分析，低能段 150 eV 起探覆盖轻元素。
X 射线分选设备
矿石、废金属及固废分选设备中的核心探测模组，高计数率与稳定的长期运行特性满足工业级连续作业要求。
同步辐射装置
源自 HEPS 高能同步辐射光源技术，可用于荧光线站、XANES / EXAFS 实验及高光通量束线的 X 射线能谱探测。